La nuova fabbrica che si trova a Otsu City, nella regione di Shiga, avrà un’area di 8.000 metri quadrati e comporterà un investimento di circa 16,8 milioni di dollari. Secondo la Sanyo entro la fine del 2007 si prevede una capacità produttiva di 40 MW che dovrebbe essere incrementata fin dall’anno successivo, in sintonia con la produzione di celle della stessa compagnia. Tra gli obiettivi, c’è quello di far diventare il nuovo impianto a “emissioni zero”.
Attualmente la produzione di celle FV della Sanyo (costituite da un wafer cristallino imbottito da due strati di silicio amorfo – HIT Cell) è realizzata in due fabbriche giapponesi. Per quanto riguarda i moduli, la produzione si svolge in 4 impianti, due sono in Giappone, uno in Messico e uno in Ungheria. La capacità produttiva attuale della Sanyo è di circa 160 MW, per una quota di mercato mondiale intorno al 7%.
Lo scorso giugno la Sanyo ha annunciato che l’obiettivo di capacità per il marzo 2011 è di 600 MW, con un raddoppio della produzione nell’impianto giapponese di Nishikinohama, già dal 2008, per arrivare a 210 MW entro marzo 2008.
La garanzia di ottenere questi obiettivi è legata ad un accordo di lunga durata con Hoku Scientific, il fornitore di silicio di grado solare per la produzione di celle Sanyo.
LB
6 marzo 2007
